ΕΡΓΑΣΤΗΡΙΟ 7: Πόλωση του αμφιπολικού τρανζίστορ

Abstract

Το εργαστήριο αυτό είναι μια επέκταση του εργαστηρίου 6, στην μελέτη της συμπεριφοράς του αμφιπολικού τρανζίστορ. Οι χαρακτηριστικές εξόδου (I-V μεταξύ συλλέκτη και εκπομπού) του τρανζίστορ έχουν ήδη μελετηθεί και καταγραφεί με χρήση της προσομοίωσης αλλά και πειραματικά. Εδώ, μελετάται η μετακίνηση του σημείου λειτουργίας του τρανζίστορ για διάφορες τιμές της τάσης βάσης – εκπομπού, και προσδιορίζεται η περιοχή γραμμικής συμπεριφοράς, αποκοπής και κορεσμού του τρανζίστορ. Για τη σύγκριση με την θεωρητικά αναμενόμενη συμπεριφορά του τρανζίστορ, εφαρμόζεται η τεχνική ευθείας φόρτου της πέμπτης εργαστηριακής άσκησης.

This lab is an extension of Lab 6, focusing on the study of the bipolar transistor’s behavior. The transistor’s output characteristics (I–V between collector and emitter) have already been studied and recorded using both simulation and experimental methods. Here, the shift of the transistor’s operating point is examined for various base-emitter voltage values, and the regions of linear operation, cutoff, and saturation are identified. To compare with the theoretically expected transistor behavior, the load-line technique from Lab 5 is applied.